半导体泵浦激光器采用半导体发光二极管作为激光晶体的能量来源（激励源），用波长808nm半导体发光二极管泵浦Nd：YAG介质，使介质产生大量的反转粒子，在Q开关的作用下形成波长为1064nm的巨脉冲激光输出。因为半导体激光器的电光转换率较灯泵浦激光器有了较大提高，因而避免了由于发热高所造成的辅助设备体积庞大、激光束品质欠佳等问题。是第二代激光器的代表。
兼具YAG激光打标机的优点
· 独特的“U”字型激光腔设计，使激光在相同功率 输出质量更高；
· 直腔半导体机型专用于配合生产流水线及自动化生产线的设备；
· 激光品质更优（M2＜6），光斑更小，能量更集中；
· 免维护设计，无需要换耗材，平均无故障工作时间更长；
· 安装红光定位系统，打标操作时更方便；
· 使用新型改良水泠系统，体积更小巧，泠却效果更佳；
广泛应用于电子元器件、集成电路（IC）、电工电器、手机通讯、五金制品、工具配件、精密器械、眼镜钟表、首饰饰品、汽车配件、塑胶按键、建材、食品及药品包装、PVC管材、医疗器械等行业。可标记金属及多中非金属。更适合应用于一些要求更精细、精度更高的场合。
| 型 号 |
DP-R50 |
DP-R75 |
DP-R50L |
DP-R75L |
| 最大激光功率 |
50W |
75W |
50W |
75W |
| 激光波长 |
1064nm |
1064nm |
1064nm |
1064nm |
| 光束质量M2 |
<6 |
<6 |
<6 |
<6 |
| 激光重复频率 |
<=30khz |
<=30khz |
<=30khz |
<=30khz |
| 标准雕刻范围 |
100mm*100mm |
| 选配雕刻范围 |
50mm*50mm/150mm*150mm/300mm*300mm |
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| 雕刻深度 |
<=0.3mm |
0.4mm |
<=0.3mm |
0.4mm |
| 雕刻线速 |
<=7000mm/s |
| 最小线宽 |
0.015mm |
| 最小字符 |
0.3mm |
| 重复精度 |
±0.003mm |
| 整机耗电功率 |
1.5KW |
2KW |
1.5KW |
2KW |
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